近日，北京能源所的赵博士团队采用氢化物气相外延（HVPE）在苏州纳维科技有限公司提供的300极性面（c面）和非极性面（m面）GaN单晶衬底上制备了GaN压电晶体管,以研究压电效应在极性或非极性氮化镓纳米线中的应用。苏州纳维提供的自支撑氮化镓衬底晶片，位错密度低，晶体质量较好，非常适合制作新型光电子器件。

实验首先采用了苏州纳维科技有限公司提供的高质量300极性面（C面）和非极性面（m面）GaN单晶作为衬底，利用等离子体增强化学气相沉积法在GaN单晶衬底上沉积SiO₂薄膜，然后利用电子束蒸发法的SiO₂表面上沉积一层薄的Ni金属膜。随后，将Ni/SiO₂包覆的GaN基板退火，退火完成后会在基板表面形成镍纳米球。再通过反应性离子刻蚀SiO₂，用稀盐酸除去Ni。最后，利用得到SiO₂掩模用氢化物气相外延法生长GaN纳米线。

接下来的实验中，他们利用AFM探针接触GaN纳米线的表面，在 GaN衬底下部涂上银膏，形成源漏电极。理论分析和实验结果表明，利用探针施加压力可以有效地调节探针和极性面（c-面）GaN纳米线之间的肖特基势垒，沿压电极化方向（c轴）施加应力可以在极化轴两端产生极化电荷，调节载流子的运动，这种效应被称为压电效应。然而，同样的压力却无法改变压电极化轴在水平方向的非极性面（m面）GaN的电子输运特性，这表现的是压阻效应。。

压电效应可以改变肖特基势垒，压阻效应则是对横向力有很高的灵敏度。极性和非极性GaN纳米线呈现出的这两种特性如果同时应用在一个压电集成电路中，则可以有效地最任何外加应力做出响应，完全有望应用在生命科学，压力传感器和人机交互等新兴技术领域。