美国加州大学芭芭拉分校（UCSB）近日发表了一篇文章，文章主要对比了苏州纳维科技有限公司、日本古河电工、三菱化学公司以及日立电缆的自支撑氮化镓（0001）衬底晶片（生长方法均为氢化物气相外延）的翘曲，并证明它们的翘曲同衬底内部的压应力向张应力转变的梯度具有一致性，应力梯度和翘曲的产生则是由于刃位错偏离了[0001]方向。

比对结果显示，苏州纳维的自支撑氮化镓（0001）衬底晶片曲率半径最大，8.08米，位错密度最小，4.16=54⁹ cm^/6综合表现最优！

文章同时指出，GaN中的线缺陷会影响半导体异质结构中的载流子运动，降低其发光性能。因此，GaN基同质外延生长的器件更加需要缺陷密度低的GaN材料。市面上的自支撑氮化镓（0001）衬底晶片位错密度大都在10⁴cm^-2到 10⁶cm^-2之间。并且有些晶片伴有严重的翘曲。他们研究发现，位错密度越大，曲率半径越小，翘曲越严重，晶体质量越差，并且翘曲同衬底内部的压应力向张应力转变的梯度有一致性。如何通过有效的方法解决氮化镓翘曲以及位错密度，也将是未来量产的关键技术问题。