深圳大学的刘新科博士和他的团队近期试制了GaN基肖特基势垒二极管（SBD），并且采用的是苏州纳维科技有限公司提供的2英寸氮化镓自支撑衬底晶片，该二极管使用互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容的触头材料，采用CMOS工艺兼容的程序模块，比如栅极堆叠形成欧姆接触。

纳维提供的的2英寸氮化镓自支撑衬底晶片采用氢化物气相外延（HVPE）方法生长，位错密度小于10⁶cm^-2。因为自支撑GaN衬底的质量较好，因此制备出的GaN基SBD实现了截止击穿电压V_BR1200V、通态电阻Ron7mohm.cm²、功率器件品质因V_BR²/Ron2.1×10⁸V²ohm^-1cm^-2，Ion/Ioff电流比也实现了文献报道中的最优值~2.3× 10¹⁰。

以上数据说明，GaN衬底晶片的质量对SBD的影响很大，高质量的SBD，在额定的闭塞电压下，可以实现高功率状态下导通损耗最低。因为GaN基功率整流器（如肖特基二极管）在高温高压下表现出超低导通损耗，所以可应用在新一代电力电子电路中。并且该器件的电源电压仅在几百伏的范围内，在开关电路制造方面有非常大的成本竞争力。