徐科，男，1970年3月出生，中科院上海光学精密机械研究所获得博士，中国国籍，现任苏州纳维科技有限公司董事长。2008年入选省“高层次创新创业人才引进计划”，2007年入选姑苏领军人才计划。徐科博士自1996年以来一直从事氮化物外延用衬底材料的晶体生长，曾在非极性GaN的MOCVD生长方面做出开创工作；阐明了极性对InN生长的特殊影响，是国际上最早发现InN窄带隙的研究者之一。2004年归国，在苏州工业园区创办苏州纳维科技有限公司，研发出2inch GaN单晶衬底系列产品，GaN单晶衬底的研制成功和产业化对我国第三代半导体产业跨越发展以及国防领域的核心器件研制具有重要的战略意义。曾主持参加国家重点研究计划、国家自然科学基金重点项目、江苏省科技成果重大专项项目、苏州市姑苏人才、苏州工业园区领军人才项目等20余项，在项目执行期间，入选科技部中青年领军科技人才；关于氮化镓单晶衬底的研究成果入选基金委信息学部十二五优秀成果汇编；入选科技部重大研发计划战略性新型电子材料专家组成员并任第三代半导体材料专家组副组长；入选国家重大新材料与应用工程专家组并参与编写第三代半导体材料到2030年的发展规划等。

1979年10月生，于2001年、2006年先后获得武汉大学学士和博士学位（与中科院半导体所联合培养），此后一直从事GaN单晶衬底的制备及产业化开发。王建峰博士针对GaN生长装备，创新的引入了在位光学监控系统，实现了生长速度和应力的实时监控，极大的推进了GaN材料研发；近5年以来，深入研究了GaN的HVPE生长机理和缺陷演化机制，采用周期掩膜、GaN纳米柱阵列等中间层方法，获得了无裂纹、高质量GaN材料，性能达到目前同类方法公开报道的最好值(位错密度<10⁵cm²，室温电子迁移率1100cm²/V·s)；利用掺杂技术，实现了2英寸非掺、N型掺杂和半绝缘补偿掺杂GaN单晶衬底的研制。近3年以来，初步实现了4英寸GaN单晶衬底的制备。作为项目负责人和核心人员参加科技部863项目、国际合作项目、自然科学基金项目、中科院 STS 项目等10余项，申报相关核心专利20余项，在ICNS、APWS等重要国际会议上做特邀报告5次。项目申请人曾荣获中国产学研促进性创新成果奖，中国科学院卢嘉锡青年人才奖，苏州市劳动模范奖励。